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满足开关电源要求的功率MOSFET

时间:2021-02-27 00:39 点击次数:
  本文摘要:近些年,电源的键入工作电压急剧下降、键入电流量更为大(一些电源系统软件键入几十安培到几百安培)。因而,电源设计方案中应用开关电源控制板、再加好几个控制器及功率MOSFET组成的静电学开关电源能合乎这类回绝。 若应用静电学控制板与功率MOSFET组成的构造,运用于十分协调能力,能够依据键入电流量的尺寸有效切换开关管及即时稳压管,而且可获得非常好的转模高效率及较低的谐波失真工作电压。

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近些年,电源的键入工作电压急剧下降、键入电流量更为大(一些电源系统软件键入几十安培到几百安培)。因而,电源设计方案中应用开关电源控制板、再加好几个控制器及功率MOSFET组成的静电学开关电源能合乎这类回绝。

若应用静电学控制板与功率MOSFET组成的构造,运用于十分协调能力,能够依据键入电流量的尺寸有效切换开关管及即时稳压管,而且可获得非常好的转模高效率及较低的谐波失真工作电压。  为提升在输出功率低时的电源管耗损,回绝电源管的栅极电容器小、通断电阻器小;而且回绝键入漏极电流量大,许多功率MOSFET生产厂家竞相产品研发出有各种各样较低Qg、较低RDS(on)及大ID的专用型开关电源MOSFET。文中解读Infineon企业在二零零七年10月开售的为开关电源设计方案的N闸极低电源速率功率MOSFET。它的型号规格是BSCO16NO3LSG。

它的商品概述为:VDS=30V、RDS(on)=1.6m、ID=100A。  主要特点及相关主要参数  BSCO16NO3LSG的主要特点及相关主要参数:  1.可应用TTL逻辑性工作电压操控;  2.在TTL逻辑性低压时,其通断电阻器RDS(on)较小。如VGS=9V时,RDS(on)=1.4m;VGS=4.9V时,RDS(on)=1.8米;VGS=4V时,RDS(on)=1m;而且ID在0~50A范畴内转变,RDS(on)稳定,如图所示1下图;    图1BSCO16NO3LSG的典型性溢-源导通电阻器  栅极正电荷QgRDS(on)的相乘小,不利工作中于高频时扩大耗损及具有不错的电源特点;  3.传热系数RJC较低,RJC=1℃/W;而且在40mm40mm1.5毫米单面的屋铜钱(环氧树脂胶PCB),其铜层面积为6cm2(铜层薄70M),PCB横着在惯性力空气中的传热系数RJA=50℃/W。

这表述在一定工作中标准下,功率MOSFET需要的加温风扇的PCB面积并不算太大,能够提升PCB面积;  4.小规格PGTDSON8PCB(一种PCB反面有较小面积风扇夹的结构),其规格为:6毫米5毫米毫米。其反面样子如图2下图;    图2BSCO16NO3LSG的PCB反面有较小面积风扇垫  5.在充裕大的风扇面积标准下,VGS=4.9V,该元器件风扇夹的溫度TC在25℃~100℃范畴,其仅次的到数ID均值100A。假如在其骑侍郎敷热铜层面积为6cm2的标准下(RJA=50℃/W),VGS=10V、TA工作温度=25℃,其仅次到数ID为32A。

假如回绝到数ID低于32A,可降低风扇面积或应用两层的屋铜层的PCB。


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